200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀采用四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測(cè)試探針治具與PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制,解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求,軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,及過程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析。
產(chǎn)品分類
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類型 | 數(shù)字式電阻測(cè)試儀 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,石油,地礦,綜合 |
關(guān)鍵詞:200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
電阻率儀 電阻率儀器 四探針電阻率測(cè)量?jī)x 電阻率測(cè)試儀 探針電阻率測(cè)試儀 四探針法測(cè)電阻率
產(chǎn)品用途:
用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器特點(diǎn):
200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀采用四探針雙電組合測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測(cè)試探針治具與PC軟件對(duì)數(shù)據(jù)的處理和測(cè)量控制,解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對(duì)溫度變化測(cè)量要求,軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,及過程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析。
技術(shù)參數(shù):
1.方塊電阻范圍 | 10^-5~2×10^5Ω/□ |
2.電阻率范圍 | 10^-6~2×10^6Ω-cm |
3.測(cè)試電流范圍 | 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA,10mA,100 mA |
4.電流精度 | ±0.1%讀數(shù) |
5.電阻精度 | ≤0.3% |
PC軟件界面 | 顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率 |
7.測(cè)試方式 | 雙電測(cè)量 |
8.四探針儀工作電源 | AC 220V±10%.50Hz <30W |
9.誤差 | ≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 |
10.溫度(選購(gòu)) | 常溫 --200;400℃;600℃;800℃;1000℃;1200℃;1400℃;1600℃ |
11.氣氛保護(hù)(氣體客戶自備) | 常用氣體如下:氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均為無色、無臭、氣態(tài)的單原子分子 |
12.溫度精度 | 沖溫值:≤1-3℃;控溫精度:±1°C |
13.升溫速度: | 常溫開始400℃--800℃需要15分鐘;800℃-1200℃需要30分鐘;1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘 |
14.高溫材料 | 采用復(fù)合陶瓷纖維材料,具有真空成型,高溫不掉粉的特征 |
15.PC軟件 | 測(cè)試PC軟件一套,USB通訊接口,軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)! |
16.電極(探針)材料標(biāo)配 | 鎢電極或鉬電極+電極(探針)陶瓷管 +高溫陶瓷樣品臺(tái),1套. |
17.探針間距 | 直線型探針,探針間距:4mm; |
18.樣品要求 | 樣品長(zhǎng)度要求≥13mm 樣品寬≥2mm或直徑≥13mm |
19.高溫電源: | 供電:400-1200℃ 電源220V,功率2-4KW;380V;1400℃-1600℃電源380V;功率4-6KW: |
20.標(biāo)配外(選購(gòu)): | a電腦和打印機(jī)1套;b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個(gè); c.S型鉑銠探針電極(溫度范圍:200-1300度); d.B型鉑銠探針電極(溫度范圍:1400-1600度) |